삼성전자(대표 윤종용)가 업계 최초로 70나노 공정을 적용한 512메가 DDR2 D램 개발에 성공했다고 13일 발표했다. 이로써 삼성전자는 지난 2001년 100나노 공정 적용에 이어, 2002년 90나노, 2003년에는 80나노, 그리고 올해는 70나노에 이르는 4세대 D램 공정기술을 세계 최초로 개발하게 됐다. 70나노 공정기술은 반도체 회로 선폭이 머리카락 두께의 약 1천400분의 1에 해당하는 초미세 반도체 제조 기술이다. 삼성전자가 이번에 개발한 70나노 512메가 DDR2 D램은 기존에 양산하고 있는 90나노 512메가 DDR2 제품 대비 생산성이 2배로 향상되며, 1.8볼트 저전압에서도 작동해 컴퓨팅 시스템 뿐아니라 각종 모바일 기기에서도 최적의 성능을 구현할 것으로 기대된다. 삼성전자는 "지난해 중순부터 90나노 공정의 D램 제품 양산을 시작해 업계보다 1년 이상 양산 기술력이 앞서 있으며, 이번 기술개발로 2세대 앞선 기술력을 확보하게 됐다"며, "차세대 D램 개발을 가속화해 기술 격차를 더욱 벌려 나갈 것"이라고 말했다. 이에 따라, 삼성전자는 현재 양산 중인 90나노 D램에 이어 80나노 D램을 올 하반기에, 70나노 512메가 D램은 내년 하반기부터 양산할 예정이며, 향후 1기가, 2기가 D램에도 70나노 공정 적용을 확대할 계획이다. 한편 시장조사기관 아이서플라이에 따르면 D램시장은 향후 차세대 게임기 출시, 3세대 휴대폰 비중 확대, 그리고 마이크로소프트의 차기 PC운영체제 '윈도 비스타' 출시 등에 따라 올해 265억달러에서 오는 2009년 374억달러 규모에 이르는 등 성장세를 유지할 것으로 보인다.
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